MJD117ITU datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
О ДАТАШИТЕ
-
МаркировкаMJD117ITU
-
ПроизводительFairchild Semiconductor
-
ОписаниеFairchild Semiconductor MJD117ITU Collector- Base Voltage Vcbo: 100 V Collector- Emitter Voltage Vceo Max: 100 V Configuration: Single Dc Collector/base Gain Hfe Min: 500 at 0.5 A at 3 V Dc Current Gain Hfe Max: 500 at 0.5 A at 3 V Emitter- Base Voltage Vebo: 5 V Maximum Operating Temperature: + 150 C Minimum Operating Temperature: - 65 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: IPAK Transistor Polarity: PNP Collector- Base Voltage VCBO: 100 V Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 100 V Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V DC Collector/Base Gain hfe Min: 500 at 0.5 A at 3 V DC Current Gain hFE Max: 500 at 0.5 A at 3 V
-
Количество страниц5 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
08.05.2024
07.05.2024
06.05.2024